[发明专利]能容许可变电压的输入/输出电路

摘要

一种能容许可变电压的输入/输出电路，其优点为不会产生漏电流及具有高可靠度，此电路的主要特征在于具有一箝位电路，用以箝制M1的N－Well的电位；若电源电压VCC高于或等于输入/输出电路端的电压VI/O，则M1的N－Well的电位被箝制至电源电压VCC；若电源电压VCC低于输入/输出电路端的电压VI/O，则M1的N－Well的电位被箝制至输入/输出电路端的电压VI/O。

主权项

1.一种能容许可变电压的输入/输出电路，包含：一电源电压；一接地电压；一第一PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管其中之一P+区通过电极耦合至该电源电压，另一P+区则通过电极耦合至一输出电路；一第二PMOS晶体管，该第二PMOS晶体管其中之一P+区通过电极耦合至该电源电压，另一P+区则通过电极耦合至该第一PMOS晶体管的栅极，且该第二PMOS晶体管的栅极耦合至一输入控制电路；一第三PMOS晶体管，其源极耦合至该电源电压，且其栅极耦合至另一输入控制电路；一第一NMOS晶体管，其漏极耦合至该输出电路，其源极耦合至该接地电压，且其栅极耦合至该第三PMOS晶体管的漏极；一第二NMOS晶体管，其漏极耦合至该第一PMOS晶体管的栅极，其源极耦合至该接地电压，且其栅极耦合至第二PMOS晶体管的栅极；一第三NMOS晶体管，其漏极耦合至该第一NMOS晶体管的栅极，其源极耦合至该接地电压，且其栅极耦合至第三PMOS晶体管的栅极，其特征为还包含一箝位电路，具有：一第四PMOS晶体管，其栅极耦合至该第一PMOS晶体管的N-Well，该第四PMOS晶体管其中之一P+区通过电极耦合至该电源电压，另一P+区则通过电极耦合至该第一PMOS晶体管的N-Well；以及一第五PMOS晶体管，其栅极耦合至该第一PMOS晶体管的N-Well，该第五PMOS晶体管其中之一P+区通过电极耦合至该第一PMOS晶体管的N-Well，另一P+区则通过电极耦合至该输出电路，其中，原来通过电极耦合至该高电源电压的该第二PMOS晶体管的P+区改成通过电极耦合至该第一PMOS晶体管的N-Well。