[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 01143290.X | 申请日： | 2001-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1379478A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 神野健;堤聪明;儿玉修治;大野多喜夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置,能够容易俘获残留高熔点金属,防止残留高熔点金属陷入非硅化物区,减少非硅化物区的扩散层的结漏泄,提高成品率。为此,在半导体装置的非硅化物区2的附近配置虚拟硅化物区11。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：在衬底上积层并形成电阻元件的非硅化物区；在除了部分该非硅化物区之外的非硅化物区上积层的氧化保护膜；在该氧化保护膜的整个面上积层高熔点金属之后通过退火在部分上述非硅化物区上形成的硅化物区，其特征在于：在上述非硅化物区的附近配置虚拟硅化物区。
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