[发明专利]形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法有效
| 申请号： | 01142993.3 | 申请日： | 2001-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN1423310A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 吴燕萍;何岳风 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示了一种新的具有高深宽比的沟槽蚀刻方法,所述方法包括首先提供一半导体底材,其上具有一介电层；然后,形成且限定一光阻层于介电层上；接着,进行一蚀刻步骤以形成一沟槽于介电层中,所述蚀刻步骤所使用的蚀刻剂至少包含一具有C4F6或CH2F2的混合气体,例如,C4F6/CH2F2/Ar/O2,C4F6/CH2F2/Ar/O2/CF4,C4F6/CH2F2/Ar/O2/C2F6等,以增加介电层与光阻层的蚀刻选择比与强化蚀刻剂的蚀刻能力；最后,移除光阻层以形成具有十分精确的临界尺寸的接触窗或介层洞。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 高深 沟槽 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电层的蚀刻方法，其特征在于至少包括：提供一蚀刻剂，所述蚀刻剂为一具有一C4F6与一CH2F2的混合气体；以及借助所述蚀刻剂进行蚀刻并蚀刻所述介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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