[发明专利]一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法无效
| 申请号： | 01141914.8 | 申请日： | 2001-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1411040A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李俊鸿;余旭升;梁明中 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种能提高在多晶硅蚀刻机(PolysiliconEtcher)中介电材料对硅的蚀刻选择比(Selectivity)的蚀刻方法。本发明的蚀刻方法为一种干式蚀刻(DryEtching)法，是由调整多晶硅等离子体蚀刻机的气体配方，即使得蚀刻反应室内的反应气体为四氟化碳(CarbonTetrafluoride；CF4)/氟代甲烷(CHxFy；x＝2，y＝2或x＝1，y＝3)/氧气(Oxygen；O2)，不但可在多晶硅等离子体蚀刻机中蚀刻介电材料层及多晶硅层，且可大幅提高介电材料对硅的蚀刻选择比，并且可获得笔直的蚀刻外形，和稳定的反应室环境。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 半导体 组件 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法，至少包括：提供一晶片，且该晶片上设有一介电材料层与一硅材料层；提供多个加速电子；提供一反应气体，该反应气体至少包括四氟化碳、氟代甲烷、氧气，且该反应气体与该加速电子碰撞，而生成多个离子、多个原子团、以及多个原子；以及以该离子、该原子团、以及该原子蚀刻该介电材料层与该硅材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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