[发明专利]用以测量电容的电路结构与应用此结构的测量方法

摘要

一种用以测量电容的电路结构，其中电容性负载耦接于第一节点与第二节点之间。第一PMOS晶体管与第一NMOS晶体管的漏极耦接至第一节点，而第二PMOS晶体管与第二NMOS晶体管的漏极耦接至第二节点，焊垫耦接到第二节点。第一与第二PMOS晶体管的源极以及第一与第二NMOS晶体管的源极分别偏压在VDD与接地电压。同时，第一与第二PMOS晶体管以及第一与第二NMOS晶体管的栅极，分别同时施加一异步电压。将焊垫接地与浮置，以得到流过电容性负载的电流，并由此求得电容性负载的电容量。

主权项

1.一种用以测量电容的电路结构，其特征为：包括：一第一第一型MOS晶体管其源极耦接到一第一电压源；一第二第一型MOS晶体管，其源极耦接到一第二电压源，其中该第一与该第二第一型MOS晶体管的栅极同时接收一第一输入电压；一第一第二型MOS晶体管，其源极耦接到一第三电压源，漏极耦接于该第一第一型MOS晶体管的漏极；一第二第二型MOS晶体管，具有栅极、源极与漏极，其源极耦接到该第三电压源，漏极耦接于该第二第一型MOS晶体管的漏极，其中该第一与该第二第二型MOS晶体管的栅极同时接收一第二输入电压；一电容性负载，耦接于该第一第一型MOS晶体管的漏极与该第二第一型MOS晶体管的漏极之间；以及一焊垫，耦接至该第二第一型MOS晶体管的漏极。