[发明专利]高介电系数介质与半导体构成的耐压层有效
| 申请号： | 01139957.0 | 申请日： | 2001-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1420569A | 公开（公告）日： | 2003-05-28 |
| 发明（设计）人： | 陈星弼 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/38 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红,潘培坤 |
| 地址： | 200092 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于高压功率器件的在器件特征层及接触层之间的耐压层，它是由一种(或两种)导电类型的半导体(S)与一种高介电系数的介质(HK)的两个(或三个)区构成，在平行于耐压层和接触层的剖面上，半导体和介质交替排列。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电 系数 介质 半导体 构成 耐压 | ||
【主权项】：
1、一种半导体功率器件，它包含一个在一个能导电的接触层和一个能导电的器件特征层之间的耐压层，其特征在于：所述的耐压层是由许多相同的元胞紧密排列所构成，每个元胞在其与器件特征层和接触层所形成的两个界面之间有一个半导体区和一个介电系数比半导体区的介电系数高得多的第一介质区，在半导体区和高介电系数的第一介质区之间还可以有一个极薄的低介电系数的第二介质区，使耐压层成为高介半耐压层(HKSlayer)，高介半耐压层中每个元胞中的半导体区均有与上述两个界面直接相接触的面，每个元胞中的高介电系数的第一介质区均与上述两个界面直接接触，或通过极薄的低介电系数的第二介质区与上述两个界面间接接触，每个高介电系数的第一介质区在与这两接触面相垂直的方向与半导体区直接接触或通过低介电系数的第二介质区与半导体区间接接触。
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