[发明专利]金属栅极形成方法无效
| 申请号： | 01139315.7 | 申请日： | 2001-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1349247A | 公开（公告）日： | 2002-05-15 |
| 发明（设计）人： | 张世亿;宣俊协;崔亨福 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3213;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 杨梧,马高平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及形成可容易地去除伪多晶硅膜的例如集成MOS晶体管中的锒嵌金属栅极的方法。该方法包括以下步骤形成锒嵌栅极绝缘膜32和伪栅极用多晶硅膜33的工序,在包含上述伪多晶硅膜33的晶片31上形成夹层绝缘膜36的工序,抛光夹层绝缘膜以露出上述伪多晶硅膜的工序,利用旋转蚀刻方法对上述露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成锒嵌金属栅极的方法，包括以下步骤：在一晶片上形成用于伪栅极的一伪栅极绝缘膜和一多晶硅膜；在该晶片上形成一夹层绝缘膜；抛光该夹层绝缘膜，以便露出该伪多晶硅膜的上表面；和应用旋转蚀刻工序，对露出的伪多晶硅膜进行湿蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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