[发明专利]绝缘陶瓷及其制备方法和多层陶瓷电容器有效
| 申请号： | 01136806.3 | 申请日： | 2001-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1350312A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 中村友幸;酒井健太郎;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01G4/30;H01B3/12;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡交宇 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种绝缘陶瓷,包括主组分ABO3和助组分R和M,其中A为Ba、Sr和Ca中的至少一种;B为Ti、Zr和Hf中的至少一种;R为La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu和Y中的至少一种;M为Ni、Co、Fe、Cr和Mn中的至少一种。该绝缘陶瓷在晶界上约有70%或更多的分析点含有组分R和M。该绝缘陶瓷适用于制备多层陶瓷电容器的绝缘陶瓷片,其通过在还原气氛中烧制得到,该绝缘陶瓷在高温和高电压时具有较长的使用寿命,在用于直流电压时,其静电电容量随着时间的变化很小,即使当降低绝缘陶瓷片的厚度时,仍具有令人满意的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 陶瓷 及其 制备 方法 多层 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘陶瓷，包含：ABO3晶粒，其具有构成晶粒间界面的晶界，其中A选自Ba、Sr、Ca和其组合；B选自Ti、Zr、Hf和其组合；和助组分R和M，其中R选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y和其组合，M选自Ni、Co、Fe、Cr、Mn和其组合；其中当在每一个从晶粒中任意选取的复合晶粒的外围上的四个等分点进行晶界分析时，在所有这四点上有70％或更多的点存在R和M。
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