[发明专利]多阶NROM的存储单元及其操作方法

摘要

一种多阶(Multi－Level)NROM的存储单元及其操作方法，其可形成一氮化物层，此氮化物层可以陷入数个电荷以形成数个电荷陷入区域，这些电荷陷入区域可以储存这些电荷以做为存储用的位，多阶NROM的存储单元包括一第一位、一第二位。其中，在第二位储存这些电荷以形成一电位障，此电位障影响所读到的第一位的一临限电压位阶的大小，通过改变电位障的大小来设定临限电压位阶的大小，只须以固定的偏压，单边读取第一位的临限电压位阶的大小，便可定义多阶NROM的存储单元的不同的存储状态。

主权项

1.一种多阶NROM的存储单元，其特征在于：其可形成一氮化物层，该氮化物层可以陷入数个电荷以形成数个电荷陷入区域，该些电荷陷入区域可以储存该些电荷以做为存储用的位，多阶NROM的存储单元包括：一第一位；一第二位；其中，在该第二位储存该些电荷以形成一电位障，该电位障影响所读到的该第一位的一临限电流位阶的大小，通过改变该电位障的大小来设定该临限电流位阶的大小，并以该临限电流位阶的大小定义多阶NROM的存储单元的不同的存储状态。