[发明专利]集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件无效

专利信息
申请号: 01134337.0 申请日: 2001-10-31
公开(公告)号: CN1156005C 公开(公告)日: 2004-06-30
发明(设计)人: 岳瑞峰;刘理天;李志坚 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L49/00;G01L9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件,其特征在于它含有:凹形硅杯,做在N型(100)硅膜片上由完全对称但沟道相互垂直的一对运算放大器构0成以取代力敏运放电路输入端一对运算放大器的PMOS差分输入对管(M1,M2),做在厚体硅上和上述(M1,M2)管相连的上述力敏运放电路的其余部分。它具有结构简单,压力响应灵敏度高,线性度好,只需一次调零,输入端调零方便,系统温漂和功耗低,元件数量少,无电阻制作工艺,成品率高和生产成本低的优点。
搜索关键词: 集成 mos 力敏运放 压力 传感 器用 运算放大器 器件
【主权项】:
1、一种集成MOS力敏运放压力传感器用的力敏运算放大器器件,含有力敏运算放大器电路和带硅杯的衬底,其特征在于它含有:上端面做有SiO2层的衬底,开在衬底底面上且带弹性膜片的凹形硅杯,做在该硅杯对侧面应力集中的N型(100)硅膜片上由完全对称但沟道相互垂直的用以取代力敏运算放大器电路输入端一对差分对管的PMOS力敏差分输入对管(M1,M2),做在厚体硅低应力区分别和上述力敏差分输入对管的漏极相连但同时和其源极相连的取走上述输入端一对差分对管后的力敏运算放大器电路的其余部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01134337.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top