[发明专利]一种浅沟槽的形成方法有效
| 申请号： | 01132667.0 | 申请日： | 2001-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1404128A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;陈昕辉;黄宇萍 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽结构的形成方法，至少包括形成一垫氧化层于一底材上；形成第一多晶硅层于垫氧化层上；形成一氧化层于第一多晶硅层上；形成第二多晶硅层于氧化层上；移除部分第二多晶硅层、氧化层、第一多晶硅层与垫氧化层以暴露出部分底材；及蚀刻第二多晶硅层与部分底材以形成沟槽结构于底材中，并暴露出氧化层。沟槽结构的蚀刻深度藉由第二多晶硅层的被蚀刻的厚度有良好的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽结构的形成方法，该方法至少包括：形成一垫氧化层于一底材上；形成第一多晶硅层于该垫氧化层上；形成一氧化层于该第一多晶硅层上；形成第二多晶硅层于该氧化层上；移除部分该第二多晶硅层、该氧化层、该第一多晶硅层与该垫氧化层以暴露出部分该底材；及蚀刻该第二多晶硅层与部分该底材以形成该沟槽结构于该底材中，并暴露出该氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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