[发明专利]局部形成自对准金属硅化物的方法

摘要

本发明为一种形成自对准金属硅化物的方法，特别是有关于一种在部分区域形成自对准金属硅化物的方法。本发明利用一硅层所形成的遮罩层以顺利在逻辑电路上局部形成自对准金属硅化物。在晶胞阵列的区域上，只有在栅极上形成金属硅化物，而在扩散区域则无金属硅化物。而在周边电路区域上，栅极与扩散区域均可形成金属硅化物。本发明的方法可使半导体元件获得较低的电阻，且较不会产生漏电流的缺陷。

主权项

1.一种在一局部区域形成一自对准金属硅化物的方法，其特征在于包括：提供一晶片，所述晶片包括一底材；形成一第一氧化物层于所述底材上；形成一氮化物层于所述第一氧化物层上；形成一第二氧化物层于所述氮化物层上；移除部分的所述第二氧化物层、氮化物层与第一氧化物层以在所述晶片的一第一区域露出所述底材；形成一第三氧化物层于所述第一区域的所述底材上；形成一硅层于所述第二氧化物层与所述第三氧化物层上；移除部分的所述硅层以在所述第一区域上形成数个第一栅极与数个第一扩散区域，所述数个第一扩散区域位于所述数个第一栅极的一侧；形成一间隙壁于所述数个第一栅极与所述硅层的一侧壁上；植入一离子以在所述数个第一扩散区域内形成一源极/漏极区域；形成一金属层于所述数个第一栅极、所述数个第一扩散区域与所述硅层上；进行一快速加热制程以在所述数个第一栅极、所述数个第一扩散区域与所述硅层上形成一金属硅化物层；移除所述金属层；及移除部分所述硅层与部分的所述金属硅化物层以在所述晶片的一第二区域上形成数个第二栅极与数个第二扩散区域。