[发明专利]在铜内连线上形成选择性保护层的方法

摘要

一种在铜内连线上形成选择性保护层的方法，适用于镶嵌式铜制程中使用，首先将一铜金属层沉积在介电层上，并填满介电层中既有的内连线沟槽，以含有有机铝化合物的研磨剂进行化学机械研磨，将多余的铜金属层去除，此有机铝化合物经过回火程序后，与底下的铜反应，而选择性地在铜内连线上形成铝－铜合金，将铝－铜合金氧化后，便形成氧化铝保护层贴覆在铜内连线表面上。使保护层选择性地只形成在铜内连线表面上，通过在铜内连线上形成选择性封盖层，达到所形成的封盖层可以有效防止铜氧化化与扩散的功效。

主权项

1、一种在铜内连线上形成选择性保护层的方法，其特征是：它至少包含下列步骤：(1)提供一半导体基底；(2)形成一具有内连线沟槽的介电层于该半导体基底上；(3)沉积一铜金属层于该介电层上，且填满该内连线沟槽；(4)以化学机械研磨程序研磨该铜金属层直到露出该介电层的上表面，以在该内连线沟槽中定义出铜内连线，其中该研磨程序于该铜内连线上留下一有机铝化合物，其经由回火程序与铜反应成铝一铜合金；(5)对该半导体基底进行一回火程序，以在该铜内连线上形成铝一铜合金；(6)氧化该铝一铜合金，以形成氧化铝保护层贴覆该铜内连线上。