[发明专利]一种防磁盘润滑剂分解的磁头薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 01130664.5 申请日: 2001-08-17
公开(公告)号: CN1133977C 公开(公告)日: 2004-01-07
发明(设计)人: 杨明楚;雒建斌;王巍 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G11B5/255 分类号: G11B5/255
代理公司: 北京清亦华专利事务所 代理人: 廖元秋
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明属于计算机硬盘磁头制造领域。其制备方法为将X-1P配制成浓度为100-300ppm的溶液,将磁头浸入制膜溶液,在制膜溶液中浸泡5-10分钟后,然后将磁头取出放入100-120℃恒温装置,保持30-60分钟,使磁头表面的溶剂挥发而X-1P吸附在磁头表面,从而在磁头上得到X-1P薄膜。该薄膜能够大大减轻磁头材料对磁盘润滑剂的催化分解,且X-1P分子能增强润滑分子在磁盘表面的迁移流动能力,从而使磨损的磁盘润滑膜得到自动修复。本发明提高了磁盘润滑膜的化学稳定性,增强了磁头/磁盘之间的润滑稳定,使磁头读写元件和磁盘磁介质的磨损减少,将大大提高硬盘的存储稳定性和使用寿命。
搜索关键词: 一种 磁盘 润滑剂 分解 磁头 薄膜 制备 方法
【主权项】:
1、一种防磁盘润滑剂分解的磁头薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将X-1P按照一定的浓度溶入全氟己烷溶剂得到制膜溶液,所说的制膜溶液浓度在100-300ppm;(2)将洁净磁头稳定垂直下降,直到磁头完全浸入制膜溶液;(3)磁头在制膜溶液中浸泡5-10分钟后,将磁头取出,磁头离开制膜溶液的速度在3mm/s-8mm/s,并保持速度平稳;(4)将覆盖有制膜溶液的磁头放入100-120℃的恒温装置中,保持30-50分钟,使磁头表面的溶剂彻底挥发,最后得到磁头表面覆盖有一层厚度在纳米量级的X-1P分子薄膜。
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