[发明专利]半导体晶片的清洗方法无效

专利信息
申请号: 01129398.5 申请日: 2001-06-15
公开(公告)号: CN1338771A 公开(公告)日: 2002-03-06
发明(设计)人: 陈中泰 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L21/306 分类号: H01L21/306;H01L21/304;B08B3/04
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开了一种半导体晶片的清洗方法,该方法包括在化学清洗槽中,利用化学清洗液清洗晶片后,把经洗净后的晶片放在已充满去离子水的洗净槽中,然后在洗净槽中加入中和试剂,使晶片表面的酸碱值趋近中性,随后以去离子水清洗晶片,去除残留于晶片表面的化学清洗液。采用上述方法后,减少了去离子水的用量,降低了清洗成本。
搜索关键词: 半导体 晶片 清洗 方法
【主权项】:
1.一种半导体晶片的清洗方法,该方法包括:提供一晶片;把该晶片放在化学清洗槽中,用化学清洗液清洗该晶片;用去离子水清洗该晶片,去除残留在该晶片表面的化学清洗液,其特征是:在使用化学清洗液洗净晶片步骤后,使用去离子水清洗晶片步骤之前,把经洗净后的晶片放在洗净槽中,该洗净槽中已充满去离子水;在该洗净槽中加入中和试剂,使该晶片表面的酸碱值趋近中性。
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