[发明专利]化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺，它由基片清洗、加热分解沉积薄膜、退火生成超导薄膜几步骤组成。本发明具有工艺简单、过程容易控制、工艺成本低，并可在大面积基片上生成等优点。其面积只受加热器与基片大小的限制，制备出的超导薄膜转变温度在25K～39K之间，并可与现有的微电子工艺相兼容，将薄膜直接应用于高性能超高速微电子系统中。

主权项

1、一种化学气相沉积两步法制备大面积硼化镁超导薄膜工艺，它由基片清洗、加热分解沉积薄膜、退火生成超导薄膜几步骤组成，其特征在于：先用半导体加工过程中常用的清洗液体对基片进行清洗，用氮气吹干，再将镁片用稀盐酸腐蚀，乙醚脱水，氩气中保存；用氩气冲洗气相淀积系统1小时，将淀积基片平放在加热器上，加热器缓慢升温到400～550℃之间，通入乙硼烷气体，将单质硼沉积在基片上，时间控制在30～90分钟；在氩气气氛下，将沉积好的硼薄膜基片和镁片密封在钽坩埚中，然后放置到通入高纯氩气的加热炉中，升温1小时，退火温度控制在700～800℃之间，然后自然冷却至室温。