[发明专利]一种高熔点光子晶体材料的制备方法无效
| 申请号： | 01126879.4 | 申请日： | 2001-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN1128234C | 公开（公告）日： | 2003-11-19 |
| 发明（设计）人： | 赵东元;罗骞;屠波;周亚明;刘振九;李莉;孔继烈 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C22C1/08 | 分类号： | C22C1/08;C23C14/22;C25D1/08 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属无机光学材料领域，具体涉及一种制备多种金属、合金、半导体等高熔点光子晶体材料的方法。以三维有序排列的聚苯乙烯小球作为模板，分别采用电化学镀，离子溅射喷镀和脉冲激光溅射喷镀的方法在聚苯乙烯小球的间隙中渗入各种材料，可制得高度有序、大孔径、高比表面的纯金属、合金、半导体等高熔点光子晶体材料。所得材料的孔径大小可以通过调整聚苯乙烯小球的直径而加以改变。制得的高熔点光子晶体材料在光学器件方面有广泛的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 熔点 光子 晶体 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备高熔点光子晶体材料的方法，以三维有序排列的直径为50nm到400nm的聚苯乙烯小球作为模板，其特征在于具体步骤如下：(1)在室温下将分散有尺寸均匀的聚苯乙烯小球的溶液覆盖在平整的基片上，聚苯乙烯小球溶液的重量浓度为5％-30％；(2)在抽真空的条件下让分散聚苯乙烯小球的溶剂挥发，挥发干后，聚苯乙烯小球在基片上以面心立方的堆积方式堆积；(3)将覆盖了聚苯乙烯小球层的基片进行镀膜工艺处理，将金属、合金、半导体高熔点材料填充到作为模板剂的聚苯乙烯小球的间隙中；(4)经镀膜工艺处理的基片浸入到四氢呋喃当中或者在500-600℃下焙烧4-6小时，除去作为模板剂的聚苯乙烯小球。
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