[发明专利]快擦写内存的遂道氧化膜的制造方法无效
| 申请号： | 01124258.2 | 申请日： | 2001-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1402339A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 苏金达;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快擦写内存的遂道氧化膜的制造方法。首先，提供一反应室，反应室内置有一芯片。接着，对反应室通入氢气和氧气，并将反应室的压力降至约5至15托耳，且将反应室的温度升至约850℃至1100℃，使氢气和氧气得以反应产生多个氧自由基，其中氧自由基可与一芯片反应产生二氧化硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 擦写 内存 氧化 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快擦写内存的遂道氧化膜的制造方法，包括下列步骤：提供一反应室，该反应室内置有一芯片；以及对该反应室通入氢气和氧气，并将该反应室的压力降至约5至15托耳，且将该反应室的温度升至约850℃至1100℃，使该氢气和氧气得以反应产生多个氧自由基，其中这些氧自由基可与一芯片反应产生二氧化硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
