[发明专利]快闪存储器的制造方法有效
| 申请号： | 01123961.1 | 申请日： | 2001-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1332474A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 曾鸿辉 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器的制造方法,包括提供一已完成前段制程的半导体基板,其中该半导体基板上已形成一隧道氧化层及其上方之第一导电层,与浅渠沟隔离;移除部分第一导电层,使该浅渠沟隔离高出第一导电层;沉积一介电层,并且回蚀(etchback)停止于第一导电层,以形成间隙壁(spacer);以间隙壁为蚀刻遮罩,蚀刻第一导电层形成一沟槽;移除部分浅渠沟隔离,使该沟槽外表面露出;移除该间隙壁,以形成一浮置栅(floatinggate)。然后沉积一薄介电层,再沉积一第二导电层,图案化第二导电层,以形成一控制栅(Controlgate)。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器的制造方法，包括以下步骤：(a)提供一已完成前段制程的半导体基板，其中该半导体基板上已形成一隧道氧化层及其上方的第一导电层，与浅渠沟隔离(STI)；(b)移除部分该第一导电层，使该浅渠沟隔离(STI)高出该第一导电层；(c)沉积一介电层，并回蚀(etchback)停止于该第一导电层，以形成间隙壁(spacer)；(d)以该间隙壁为蚀刻遮罩，蚀刻该第一导电层形成一沟槽；(e)移除部分该浅渠沟隔离(STI)，使该沟槽外表面露出；(f)移除该间隙壁，以形成一浮置栅(floatinggate)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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