[发明专利]固体摄像器件及其制造方法

摘要

解决因元件细微化及低电源电压化的要求而产生的虚假信号和电位势垒并提高元件性能。在硅衬底上有选择地形成读出栅电极13a,在读出栅电极13a的一端上形成N型漏极区14a。在读出栅电极13a的另一端上形成N型信号存储区15。使P+型表面屏蔽区21a在N型信号存储区15上选择外延生长,在该表面屏蔽区21a上形成由硅氧化膜和硅氮化物膜构成的至少覆盖信号存储区15局部的硅化物阻挡层19。在漏极区14a上形成钛硅化物膜33a。

主权项

1.一种固体摄像器件，其特征在于，它具有：形成于第一导电类型的半导体衬底上的第一绝缘膜；有选择地形成于第一绝缘膜上的读出栅电极；形成于所述读出栅电极一端的所述半导体衬底表面上的第二导电类型扩散区；形成于所述读出栅电极另一端的该半导体衬底表面上的第二导电类型信号存储区；形成于所述信号存储区表面上的第一导电类型的表面屏蔽区；由硅氧化膜与硅氮化膜构成且覆盖至少所述信号存储区的一部分的硅化物阻挡层；形成于所述扩散区上的金属硅化物层。