[发明专利]碱金属薄膜元件及其制造方法无效
| 申请号： | 01123142.4 | 申请日： | 2001-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1333574A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | 久贝裕一;太田进启;山中正策 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/64;H01M10/38;C23C14/22;C23C14/06 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供具有锂金属薄膜的元件,该元件极薄、均匀,并且不被空气退化。该元件包括基底和利用汽相沉积法形成在基底上的锂金属薄膜。薄膜厚度一般0.1μm－20μm。基底一般由金属、合金、金属氧化物或碳组成。基底厚度一般1μm－100μm。该元件用作锂电池的电极元件。 | ||
| 搜索关键词： | 碱金属 薄膜 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.碱金属薄膜元件，包括基底；和在所述的基底上通过汽相沉积法形成的薄膜，该薄膜由碱金属和碱金属合金组成的组中选择出的材料制成。
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