[发明专利]半导体模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01122865.2 申请日: 2001-07-12
公开(公告)号: CN1333562A 公开(公告)日: 2002-01-30
发明(设计)人: 岸本清治;深尾隆三;山口浩司;冢本博之;山下勇司;菊地裕二;金井友范 申请(专利权)人: 日立马库塞鲁株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/50;H01L23/28;H01L21/60
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王永刚
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 为了制造半导体模块,在金属表面上方的镍基金属膜上形成电绝缘层和导电层,通过安排在电元件和导电层之间的导电连接点使导电层与电元件电连接,用模制树脂覆盖至少一部分的电元件和至少一部分的导电连接点,和接着,从金属表面移去镍基金属膜,使得镍基金属膜,电绝缘层,导电层,导电连接点和模制树脂的组合与金属表面分开。
搜索关键词: 半导体 模块 及其 制造 方法
【主权项】:
权利要求书1.半导体模块,它包含:至少一个包括半导体芯片的电元件,与电元件电连接的导电层,分布于电元件和导电层之间的导电连接点,以便使电元件和导电层彼此电连接,模制树脂,它至少部分地覆盖电元件和导电连接点,和电绝缘层,它至少部分地与导电层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立马库塞鲁株式会社,未经日立马库塞鲁株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01122865.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top