[发明专利]垂直MOS三极管及其制造方法

摘要

本发明揭示的是垂直MOS晶体管及其制造方法,其中降低了栅极电阻,提高了高频特性,并且与传统方法相比提高了产量。当栅极电压加到栅极上时,沟道在管身主体区中沿着沟渠形成,并且电子或电流从漏极层流到源极层。这里,沟渠中的栅极具有多晶硅膜和金属膜的压合结构。由此,栅极电阻降低,并且高频特性得到提高。进一步,根据本发明的结构和制造方法,当蚀刻用于形成栅极时,在沟渠中栅极的上部产生的凹陷部分,较不可能产生,这样,可以避免由于凹陷部分导致的故障和可靠性不足。

主权项

1.一种垂直MOS晶体管，包括：第一导电类型的半导电基底；所述第一导电类型的的外延生长层，形成在所述半导电基底上；第二导电类型的管身主体区，形成在所述外延生长层上；沟渠，贯穿所述第二导电类型的所述生长区形成，而到达所述第一导电类型的所述外延生长层内；栅极绝缘膜，沿所述第二导电类型的所述管身主体区表面，和所述沟渠的壁面和底面而形成；多晶硅栅极，形成在所述沟渠中，而与所述栅极绝缘膜接触，并被所述栅极绝缘膜包围；硅金属栅极，作为形成在所述沟渠中的膜，而与所述多晶硅膜接触，并被所述栅极绝缘膜和所述多晶硅栅极包围；所述第一导电类型的源极区，形成在所述第二导电类型的所述管身主体区的所述表面上，并且包围所述沟渠，而与所述栅极绝缘膜接触；栅极，连接到所述多晶硅栅极和所述硅金属栅极上；源极，连接到所述源极区；和漏极，连接到所述半导电基底上。