[发明专利]制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法

摘要

一种分裂栅极按块擦除存储器单元的制造方法,其中场氧化层在形成条状的第一复晶硅浮动栅极后才形成,还包括在最后将成为控制栅极的第二复晶硅层形成前形成一无用化学气相沉积(CVD)介电侧壁间隙,以避免现有技术中经常发生的于浮动栅极及场氧化层之间无法互相对准的问题或减到最低,这将消除在相邻的存储器单元之间其控制栅长度不相等的情形或至少将其减到最低并使存储单元的尺寸缩小而不需要在改进制造设备上花费昂贵的经费。

主权项

1.一种制造分裂栅极按块擦除存储器单元的方法，其特征在于，包括：于一基板上形成一穿隧氧化层，然后沉积形成一第一复晶硅层及一第一氮化物层；以一第一复晶硅光罩层，沿一第一方向定义数个第一复晶硅条状区域，然后进行一氮化物层/第一复晶硅层/穿隧氧化层蚀刻；沉积形成一第二氮化物层，以一非等向性蚀刻在所述第一复晶硅条状区域周边形成一氮化物间隙；以场氧化生长法形成一场氧化层，其上具有数个未被所述第一复晶硅条状区域覆盖的隔离区域；以一第二复晶硅光罩层沿一第二方向定义第一复晶硅图案，接着于所述第一复晶硅图案上进行一氮化物蚀刻及一第一复晶硅氧化而在所述第一复晶硅条状区域上形成一第一复晶硅氧化物图案；移除所述第一复晶硅氧化物图案上的剩余氮化物，接着以所述第一复晶硅氧化物图案为光罩进行第一复晶硅层蚀刻；以一汲极光罩定义一汲极区域，再进行汲极植入；以化学气相沉积法形成一预定厚度的CVD介电质层，再以一干蚀刻形成一无用CVD间隙；以一源极植入光罩定义一源极区域，再进行汲极植入；移除所述无用CVD间隙，再进行一侧壁氧化物成长，在一薄氮化物沉积之后形成一氮化物侧壁间隙；沉积形成一第二复晶硅层；以一第二复晶硅光罩层及一光阻定义字符线及控制栅周边，接着进行第二复晶硅蚀刻以及移除所述光阻。