[发明专利]固态类阴极射线发光器件无效
| 申请号: | 01120505.9 | 申请日: | 2001-07-18 |
| 公开(公告)号: | CN1137604C | 公开(公告)日: | 2004-02-04 |
| 发明(设计)人: | 徐叙瑢;徐征 | 申请(专利权)人: | 北方交通大学 |
| 主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H01J63/06 |
| 代理公司: | 北京诺孚尔知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 李鸿华 |
| 地址: | 100044北*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及一种固态类阴极射线发光器件,由透明导电玻璃ITO层(1)、淀积于透明导电玻璃ITO层(1)上的无机半导体加速层(2)、有机发光层(3)、无机半导体加速层(2)和铝电极Al(4)构成。依所选用材料其结构为ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al。在交流电场激发下,电子经加速层获得足够的能量(大于10电子伏)后,直接碰撞有机发光层(3),产生类阴极射线发光。其发光的波长范围可以包括整个可见区。 | ||
| 搜索关键词: | 固态 阴极射线 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种固态类阴极射线发光器件,由透明导电玻璃ITO层(1)、淀积在透明导电玻璃ITO层(1)上的发光层和铝电极Al(4)构成,其特征在于:所述的发光层为有机发光层(3)和其两侧淀积的无机半导体加速层(2)的复合层,有机发光层采用高分子发光材料聚对苯乙炔PPV,无机半导体加速层采用无机宽禁带半导体材料二氧化硅SiO2;按ITO/SiO2/PPV/SiO2/Al结构,做成对称性的器件;在交流电场激发下,电子经无机半导体加速层(2)获得足够的能量后,可直接碰撞激发有机发光层(3)发光,产生类阴极射线发光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北方交通大学,未经北方交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01120505.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:可以播放出全息声的两通道放音系统
- 下一篇:电路装置





