[发明专利]磷化铟单晶片的抛光工艺无效
| 申请号： | 01120368.4 | 申请日： | 2001-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1402309A | 公开（公告）日： | 2003-03-12 |
| 发明（设计）人： | 董宏伟;赵有文;杨子祥;焦景华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C23F1/10;B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种磷化铟单晶片的抛光工艺。采用的化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其中强氧化剂为过氧化氢，其浓度为100－150克/升，酸性pH值调节剂为乳酸(C3H6O3)、冰醋酸(CH3COOH)或柠檬酸(C6H8O7)等，比较理想的是乳酸，其浓度为60－100克/升。化学抛光液的pH为2－3。抛光时单晶片承受的压力为0.25－0.65Kg/cm2。抛光质量为优良镜面、无桔皮、无白雾。 | ||
| 搜索关键词： | 磷化 晶片 抛光 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种磷化铟单晶片的抛光工艺，包括使用抛光设备对磷化铟单晶片抛光，化学抛光液由强氧化剂和酸性pH值调节剂组成，其特征在于，强氧化剂为过氧化氢，酸性pH调节剂为乳酸、冰醋酸或柠檬酸等，其中首选为乳酸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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