[发明专利]硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法无效
| 申请号： | 01120244.0 | 申请日： | 2001-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN1137293C | 公开（公告）日： | 2004-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吴以成;潘世烈;傅佩珍;陈创天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B15/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及硼磷酸钡单晶的熔盐籽晶生长方法，步骤为：1)将硼磷酸钡与助熔剂按比例混匀，加热升温至900℃-1100℃，恒温后，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含硼磷酸钡和助熔剂的混合熔体；助熔剂为BPO4-R体系或Li4P2O7助熔剂；其摩尔混配比：硼磷酸钡∶BPO4∶R体系助熔剂＝1∶0.2-1.5∶0.1-0.6；硼磷酸钡∶Li4P2O7助熔剂＝1∶0.2-1.6；2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的混合熔体中，同时以0-100转/分的旋转速率旋转籽晶杆，冷却到饱和温度，然后以0.5-5℃/天的速率缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，以10-100℃的速率降至室温，即得到硼磷酸钡单晶；该方法可生长30mm×30mm×20mm透明大单晶，晶体具有透光波段宽，机械性能好，不易碎裂，不潮解，易加工保存等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 磷酸 钡单晶 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法，其步骤如下：(1)将硼磷酸钡化合物与助熔剂按比例混匀，以2-10℃/小时的升温速率将其加热至900-1100℃，恒温10-50小时，再冷却至饱和温度之上2-10℃，得到含硼磷酸钡与助熔剂的混合熔体；所述助熔剂为BPO4-R体系助熔剂或Li4P2O7助熔剂，所述BPO4-R体系助熔剂中R为NaF、LiF、KF、LiCl、NaCl、或KCl；硼磷酸钡化合物与BPO4-R体系助熔剂混配的摩尔比为：硼磷酸钡化合物∶BPO4∶R体系助熔剂＝1∶0.2-1.5∶0.1-0.6；硼磷酸钡化合物与Li4P2O7助熔剂混配的摩尔比为：硼磷酸钡化合物∶Li4P2O7助熔剂＝1∶0.2-1.6；(2)把装在籽晶杆上的籽晶放入上述步骤(1)制备的混合熔体中，同时以0-100转/分的旋转速率旋转籽晶杆，冷却到饱和温度，然后以0.5-5℃/天的速率缓慢降温，得到所需晶体，将晶体提离液面，以10-100℃/小时的速率降至室温，即得到硼磷酸钡单晶。
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