[发明专利]薄膜沉积与平坦化工艺无效
| 申请号： | 01119771.4 | 申请日： | 2001-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1142583C | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 施泓林;阮仲杰;陈孚铨;陈安洲 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/316;H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明有关一种薄膜沉积法，可应用于一集成电路工艺中，以改善所沉积薄膜的平坦程度。所述薄膜沉积法的步骤包括：提供一已具有组件构造而使地势高低起伏的基板，于所述基板上形成一薄膜，并于所述薄膜形成之际进行一离子轰击以增进所述薄膜的填洞能力，而于停止上述薄膜的形成后，再持续所述离子轰击达一特定时间，以改善所述薄膜的平坦程度，以利后续进行的化学机械研磨法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 平坦 化工 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积法，应用于一集成电路工艺中，其特征在于，包括下列步骤：提供一基板，所述基板上已具有组件构造而使地势高低起伏；于上述基板上形成一薄膜，并于所述薄膜形成之际进行一离子轰击，该离子轰击是以提供偏压波频使等离子体中的离子加速撞击该薄膜的方式完成，以增进所述薄膜的填洞能力；以及停止上述薄膜的形成后，再持续所述离子轰击，以改善所述薄膜的平坦程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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