[发明专利]避免掺质渗透至闸极绝缘层的闸极及其制造方法无效
| 申请号： | 01118827.8 | 申请日： | 2001-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1392614A | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赖忠庆;李瑞评;赖东明;杜建男 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种避免掺质渗透至闸极绝缘层的闸极及其制造方法，它包括于基底上依次形成闸极绝缘层、复晶硅层及非晶硅层，定义复晶硅层和非晶硅层形成闸极。通过加强闸极氧化层对硼穿透的抵挡性，利用非晶硅层来防止硼穿透闸极绝缘层，具有确保闸极绝缘层的品质，及提高所形成的元件的可靠度和寿命的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 渗透 至闸极 绝缘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种避免掺质渗透至闸极绝缘层的闸极，其特征是：它包括位于基底表面上设有闸极绝缘层，复晶硅层位于该闸极绝缘层上；以及一非晶硅层位于该复晶硅层上，该复晶硅层和该非晶硅层的叠层为闸极。
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