[发明专利]气相烷基化方法和催化剂无效
| 申请号： | 01117195.2 | 申请日： | 2001-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1382670A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | J·R·巴特勒;A·K·高希 | 申请（专利权）人： | 弗纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C07C2/66 | 分类号： | C07C2/66;C07C15/073 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 徐迅 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在具有小于50μM/g的弱酸位点浓度的单斜晶硅质岩催化剂上烷基化产生乙苯。将含有苯和乙烯的原料喂入具有至少一个催化剂床的烷基化反应区中,该催化剂床含有具有小于50μM/g的弱酸位点浓度的单斜晶硅质岩催化剂。在苯是气相的温度和压力条件下操作烷基化反应区,以使芳族底物在硅质岩催化剂存在下发生气相烷基化,以产生烷基化产物。然后从反应区中抽提烷基化产物用于分离和回收。 | ||
| 搜索关键词： | 烷基化 方法 催化剂 | ||
【主权项】：
1.一种气相烷基化芳族底物的方法，其特征在于，该方法包括：提供烷基化反应区，该烷基化反应区具有至少一个催化剂床，该催化剂床每克至少有50微摩尔弱酸位点浓度的单斜晶硅质岩催化剂；和至少另一个含有第二单斜晶的催化剂床，将芳族底物和烷基化剂的原料引入多级反应区；在芳族底物是气相的温度和压力条件下操作该烷基化反应区，在单斜晶硅质岩催化剂的存在下使芳族底物发生气相烷基化，来产生烷基化产物；和从反应区回收烷基化产物。
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