[发明专利]氮化镓单晶膜的制造方法无效
| 申请号： | 01116770.X | 申请日： | 2001-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN1382838A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 江风益;王立;李述体;莫春兰;彭学新;熊传兵;李鹏 | 申请（专利权）人： | 江西方大福科信息材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B5/02 | 分类号： | C30B5/02;C30B29/10;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330029 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种氮化镓单晶膜的制造方法,在传统的衬底、氮化镓缓冲层的基础上,将衬底加热到900－1100℃,生长一层富镓的第二氮化镓缓冲层,再在该缓冲层上生长所需的氮化镓晶体叠层。本发明工艺简单,生长的缓冲层结晶性能好,并具有大量的氮空位来弛豫衬底各氮化镓晶体之间的应力,可使生长于该缓冲层之上的氮化镓叠层具有良好的结晶品质,且不会产生裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓单晶膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓单晶膜的制造方法，在蓝宝石衬底上生成第一、第二氮化镓缓冲层，再在第二氮化镓缓冲层上生长氮化镓单晶膜，其特征是在第一氮化镓缓冲层生长完后，将衬底加热到900-1100℃，通入大量的H2作载气，以100＜V/III＜500的气源进行淀积，生成一层厚度为0.5-4.0μm的第二氮化镓缓冲层。
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