[发明专利]用于照相制板工艺的增加聚焦深度的方法有效
| 申请号： | 01116638.X | 申请日： | 2001-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1164977C | 公开（公告）日： | 2004-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张文彬 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F7/40;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于照相制板工艺的增加聚焦深度的方法，它包括：于一半导体晶片上形成一含聚合物树脂的光阻层，聚合物树脂在紫外光下与一活性化学物反应形成一薄SiOx或TiOx层；将光阻层置于一光罩下而暴露于深紫外光；使用一显影剂处理光阻层的被紫外光照射的部分；将光阻层剩余部分暴露于泛紫外光；及使光阻层剩余部分活性化学气体处理，使至少聚合物树脂的最外层反应成一含有SiOx或TiOx物且具有较佳化学抗蚀性的聚合物树脂。它可进一步提高光学分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 照相 工艺 增加 聚焦 深度 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于照相制板工艺的增加聚焦深度的方法，其特征在于，它包括下列步骤：于一半导体晶片上形成一光阻层，所述光阻层含有聚合物树脂，所述聚合物树脂为含有特丁氧基羰基侧链的聚苯乙烯，其暴露于紫外光后与六甲基乙硅氨烷气体反应形成一薄SiOx层；将所述光阻层置于一光罩下，以进行一深紫外光照射反应；使用一显影剂移除暴露于深紫外的所述光阻层部份；将所述光阻层剩余部份置于泛紫外光中照射；以及将所述光阻层剩余部份以六甲基乙硅氨烷气体处理，使得所述聚合物树脂的最外层部份反应成一含有SiOx的聚合物树脂，而所述x介于1和2之间。
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