[发明专利]非还原性介电陶瓷,其制造方法和用该陶瓷的单块电容器无效
| 申请号： | 01116312.7 | 申请日： | 2001-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1317457A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 元木智雄;内藤正浩;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;C04B35/49;H01B3/12;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非还原性介电陶瓷，它包括Ca、Zr和Ti作为金属元素，并且不含铅；在CuKαX射线衍射图中，在2θ=25－35°时次要晶相的最高峰强度与钙钛矿主要晶相的最高峰强度之比为12%或更小，所述次要晶相包括除钙钛矿主要晶相以外的全部晶相。在中性或还原性气氛中烧制后，该非还原性介电陶瓷显示出优良的绝缘电阻和介电损耗，并且在高温负荷寿命试验中具有高的可靠性，它用于制造小型高容量单块陶瓷电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 原性 陶瓷 制造 方法 电容器 | ||
【主权项】：
1．一种非还原性介电陶瓷，它包括Ca、Zr和Ti作为金属元素，并且不含铅；其中，在CuKαX射线衍射图中，在2θ=25-35°时次要晶相的最高峰强度与钙钛矿主要晶相的最高峰强度之比为12％或更小，所述次要晶相包括除钙钛矿主要晶相以外的全部晶相。
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