[发明专利]非还原性介电陶瓷和使用该陶瓷的单块陶瓷电容器有效
| 申请号： | 01116311.9 | 申请日： | 2001-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN1317459A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 内藤正浩;元木智雄;佐野晴信 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | C04B35/48 | 分类号： | C04B35/48;C04B35/49;H01B3/12;H01G4/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非还原性介电陶瓷，它包括具有钙钛矿晶相并满足式(Cal－a－b－cSraBabMgc)m(Zrl－w－x－y－zTiwMnxNiyHfz)O3的主要组分和用式(Si,T)O2－MO－XO和(Si,T)O2－(Mn,M)O－Al2O3表示的复合氧化物。在CuKαX－射线衍射图中在2θ=25－35°时，非钙钛矿晶相的晶相最大峰的强度与归于钙钛矿晶相的最大峰的强度之比为5%或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 原性 陶瓷 使用 电容器 | ||
【主权项】：
1．一种非还原性介电陶瓷，它包括：具有钙钛矿晶相的主要组分，所述主要组分满足式(Ca1-a-b-cSraBabMgc)m(Zr1-w-x-y-zTiwMnxNiyHfz)O3，其中0≤a＜0.5、0≤b＜0.5、0≤c＜0.05、0≤a+b+c＜0.5、0.98≤m＜1.03、0≤w＜0.6、0≤x＜0.05、0≤y＜0.05、0≤z＜0.3、0≤x+y≤0.05和0≤w+x+y+z＜0.6；和至少一种复合氧化物，所述复合氧化物选自(Si,T)O2-MO-XO和(Si,T)O2-(Mn,M)O-Al2O3中的一种，在(Si,T)O2-MO-XO式中T是至少一种选自Ti和Zr的元素，MO是至少一种选自MnO和NiO的化合物，XO是至少一种选自BaO、SrO、CaO和MgO的化合物，在(Si,T)O2-(Mn,M)O-Al2O3式中，T是至少一种选自Ti和Zr的元素，M是至少一种选自Ni、Ba、Sr、Ca和Mg的元素，在CuKαX-射线衍射图中在2θ=25-35°时，非钙钛矿晶相的晶相最大峰的强度与归于钙钛矿晶相的最大峰的强度之比为5％或更小。
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