[发明专利]用于DRAM存储器的带有垂直晶体管的写入放大器/读出放大器

摘要

随着DRAM存储器的微型化发展，要求写入/读出放大器所占据的空间越来越小，其宽度由4位线网格宽度到两个位线网格宽度。常规的已有写入/读出放大器还可以减小，但可支配空间不能实现中断。因此至今仍然没有成功地将写入/读出放大器按新式DRAM存储器单元所需的间隔一个挨一个布置。根据本发明的原理和教导，将写入/读出放大器中使用的常规晶体管中的至少一部分更换为垂直晶体管，其上不同掺杂区域上下叠放布置，采用垂直晶体管显然比使用常规的晶体管节约空间，使一个写入/读出放大器在网格中的布置能够保障具有尽可能小的网格宽度。

主权项

1.一种集成化的写入/读出电路，用于运算DRAM存储器中的至少一个位线(BL，BBL)，其特征在于，在所述的写入/读出电路中至少有一个所使用的晶体管是垂直晶体管。