[发明专利]硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法无效
| 申请号： | 01113646.4 | 申请日： | 2001-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN1323051A | 公开（公告）日： | 2001-11-21 |
| 发明（设计）人： | 巴龙;雷威;王保平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;C01B31/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利代理有限责任公司 | 代理人： | 沈廉 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法是一种场致发射阴极的制备方法,属于平板显示器件制造的技术领域,其制备方法如下(1)基片上沉积厚度为5微米到50微米的铝膜;(2)用电化学反应中的阳极氧化法得到孔径在10～100纳米可调、孔排列有序的纳米孔阵列;(3)减薄纳米孔底部与硅基片的由于氧化形成的氧化铝绝缘层的厚度,使其贯通,并保持剩余铝层完整,电解硫酸亚铁溶液得到沉积在孔洞底部的铁催化剂颗粒或纳米线;(4)用碳源气体和稀释气体在纳米孔内裂解,形成长度、直径可调的,与硅基片接触良好的多壁纳米碳管阵列;(5)将反应产物用碱溶液处理,得到纳米碳管阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基片上 有序 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1．一种硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法，其特征在于其制备方法如下：(1)硅基片上沉积厚度为5微米到50微米的铝膜；(2)用电化学反应中的阳极氧化法得到孔径在10～100纳米可调、孔排列有序的纳米孔阵列；(3)减薄纳米孔底部与硅基片的由于氧化形成的氧化铝绝缘层的厚度，使其贯通，并保持剩余铝层完整，电解硫酸亚铁溶液得到沉积在孔洞底部的铁催化剂颗粒或纳米线；(4)用碳源气体和稀释气体在纳米孔内裂解，形成长度、直径可调的，与硅基片接触良好的多壁纳米碳管阵列；(5)将反应产物用碱溶液处理，得到纳米碳管阵列。
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