[发明专利]紫外短波长区域发光的InAlGaN及其制备方法和使用它的紫外发光装置有效
| 申请号： | 01112377.X | 申请日： | 2001-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN1311284A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 平山秀树;青柳克信 | 申请（专利权）人： | 理化学研究所 |
| 主分类号： | C09K11/64 | 分类号： | C09K11/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 周慧敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了发射在紫外短波长区域具有360nm或者更短波长的光线,配置这样一种InAlGaN,其中In组分比例为2%至20%、Al组分比例为10%至90%,并且In、Al和Ga组分的比例总和为100%。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 波长 区域 发光 inalgan 及其 制备 方法 使用 装置 | ||
【主权项】：
1．紫外短波长区域发光的InAlGaN，包含：2％至20％比例的In组分、10％至90％比例的Al组分，并且In、Al和Ga组分的比例总和为100％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于理化学研究所，未经理化学研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01112377.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电声变换器
- 下一篇：接收数据和信令音时完成模拟方式运行的方法和设备
