[发明专利]图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法无效
| 申请号： | 01111868.7 | 申请日： | 2001-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1162754C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 伊藤正光;近藤丈博 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/004 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供图形形成材料和形成方法以及曝光用掩模的制造方法。本发明的图形形成材料含有：碱性可溶性树脂、酸产生剂、溶剂、以及溶解抑制基，作为该溶解抑制基，包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置，使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑制基、和同样地使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基，该比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束，使其可溶于所述碱性溶液的碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关，基本上一定。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 材料 方法 以及 曝光 用掩模 制造 | ||
【主权项】：
1、一种电子束构图用的图形形成材料，含有：碱性可溶性树脂；电子束照射产生酸的酸产生剂；溶剂；以及具有抑制所述碱性可溶性树脂溶解在碱性溶液中的溶解抑制能力、而且通过合理使用酸使所述溶解抑制能力消除的溶解抑制基，其特征在于：作为所述溶解抑制基，包含一定比例的通过用电子束照射后在真空中放置，使所述图形形成材料高灵敏度化的第1溶解抑制基，和通过用电子束照射后在真空中放置，使所述图形形成材料低灵敏度化的第2溶解抑制基，上述比例使得通过在所述图形形成材料中照射电子束，使可溶于所述碱性溶液碱性可溶部分的大小与在真空中的放置时间无关、基本上一定。
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