[发明专利]衬底保持装置和具备该装置的曝光装置无效
申请号: | 01111828.8 | 申请日: | 2001-03-13 |
公开(公告)号: | CN1313633A | 公开(公告)日: | 2001-09-19 |
发明(设计)人: | 近藤诚 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/027;G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在基底构件(4)上边形成沿着晶片的轮廓闭合的凸缘部分(2),在被凸缘部分(2)包含起来的区域内把多个插针(1)排列成正三角形的网格状形成晶片保持器(WH)。在把晶片载置到晶片保持器(WH)上边时,打开通向真空室(8a)的阀门(V2)高速地吸附晶片。然后,一直到从晶片保持器(WH)取出晶片为止,打开通向真空泵(7)的阀门(V1)关闭阀门(V2),减弱吸附力。此外,在从晶片保持器(WH)取出晶片时,关闭阀门(V3),用供气装置(9)向晶片的底面吹气体。 | ||
搜索关键词: | 衬底 保持 装置 具备 曝光 | ||
【主权项】:
1.一种保持平板状衬底的衬底保持装置,具有:基底构件;多个突起状的支持部分,其每一个顶端部分实质上都位于同一平面上而且在上述基底构件上边被配置成三角形的网格状,上述衬底被载置到上述多个支持部分上。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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