[发明专利]非挥发性存储单元装置及其操作方法和制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性存储单元装置及其操作方法,一负值电压致动此单元的选取栅端点,擦除效能明显地改善。提供三个重叠信号送入单元端点,其中两信号为负值,一信号为正值。在另一实施例中,存储单元设于P型基底上隔离N井中一内部P井上。调整存储单元本体电位方式,以四个重叠信号进行擦除模式,其中两信号为正值,两信号为负值,两相反极性的最大擦除电压达到“振幅平衡”,维持擦除速率仅需适当电压,可减缓对应芯片电压泵汲及驱动电路的要求。

主权项

1.一种非挥发性存储单元装置，其特征是：包括：一非挥发性存储单元，包括：一源极区与一漏极区，位于一半导体基底中，且其间具有一沟道区；一浮置栅，位于该沟道区上但与该沟道区的一第一部份隔离；一控制栅，位于该浮置栅上但与该浮置栅隔离；以及一选取栅，位于该控制栅上但与该控制栅隔离，该选取栅延伸于该沟道区域的剩余部分，但与之相隔离；以及一电供应源，在该浮置栅上擦除电荷期间用以供应负值电压至该选取栅。