[发明专利]减少微影制程旁瓣的方法无效
| 申请号： | 01109524.5 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1379441A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王立铭;蔡高财 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种改善微影制程旁瓣产生的方法,其包括下列步骤于半导体基底上形成光阻层;以相移式光罩对此光阻层进行曝光,将光罩上的图形转移至光阻上;之后,对曝光后的光阻层进行后曝光烘烤步骤;最后再进行显影,完成光阻层的图案化。本发明特点可减少旁瓣的产生;仅以调整制程参数即可增加光阻层的对比,不须额外制作光罩,或是增加额外制程,与现有的制程兼容;应用范围广泛,不受光阻种类限制。可应用于ArF,KrF,I－line或G－line或DUV的光阻材质。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 微影制程旁瓣 方法 | ||
【主权项】：
1、一种减少微影制程旁瓣的方法，其特征在于：该方法包括：提供一基底；在该基底上形成一光阻层；以一光罩对该光阻层进行曝光；对曝光过的该光阻层进行一后曝光烘烤步骤；以及对该光阻层进行显影。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01109524.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：诊断装置和治疗装置
- 下一篇：减肥纺织制品及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
