[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 01108897.4 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1319895A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 嶋田恭博;加藤刚久 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8234;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 分别形成pMOSFET、nMOSFET、强电介质FET的栅电极及各栅绝缘膜后,采用杂质离子注入方法分别形成nMOSFET、强电介质FET各源区、漏区,以及pMOSFET的源区、漏区,在第1层间绝缘膜上,形成中间电极,强电介质膜和控制栅电极,中间电极与强电介质FET的栅电极相连接。在第2层间绝缘膜上形成第1布线,第2布线和布线层,第1布线与控制栅电极连接,第2布线与强电介质FET的中间电极连接,布线层与CMOS的栅电极连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体装置，其特征在于：该装置包括：半导体衬底；制作在所述半导体衬底上的具有栅绝缘膜、栅电极及源·漏区域的MISFET；制作在所述半导体衬底上的强电介质FET，该强电介质FET具有强电介质膜、制作在该强电介质膜上的控制栅电极及源·漏区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01108897.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
