[发明专利]纳米晶巨磁阻抗复合材料及其制备方法无效
| 申请号： | 01107798.0 | 申请日： | 2001-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1152440C | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 刘宜华;萧淑琴;梅良模;栾开政;代由勇 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L43/08 |
| 代理公司： | 济南三达专利事务所 | 代理人： | 刘旭东 |
| 地址： | 250100*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 纳米晶巨磁阻抗复合材料属于信息功能材料领域。本发明采用高真空技术，先将铁基软磁合金和高导电材料铜或银组合成层状复合材料，然后，进行真空退火热处理，把磁性层的晶粒尺度控制在几十纳米的范围。它克服了传统软磁合金薄膜磁阻抗效应弱、工作频率高的缺点，简化了后序处理工艺。这种纳米晶复合材料具有磁阻抗效应强、灵敏度高、工作频率低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 磁阻 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米晶巨磁阻抗复合材料，其特征是它由铁基软磁合金、导电材料进行层状复合而成，其复合结构是软磁合金-导电金属-软磁合金三层复合结构，其中，铁基软磁合金是：Fe70+xCuNb3Si17-xB9，Fe68+xCuCr2V4Si16-xB9，Fe85+xZr7B7-xM中的一种，x取值为0～5，M是3d过渡族金属元素，导电金属层是铜或银。
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