[发明专利]半导体器件粘附层结构及形成结构的工艺无效
| 申请号： | 01101740.6 | 申请日： | 2001-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN1319887A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 张继明;迪恩·J·邓宁;萨姆·S·加西亚;斯科特·K·波兹德尔 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在淀积阻挡层(412)之前形成半导体衬底器件(404)的粘附/中间层区(410)改善了阻挡层(412)与下面介质(404)的粘附性并增加了与下一互连层的强度,同时没有改变阻挡层(412)限制Cu扩散到介质基底(404)内的功能。通过在附属于或与阻挡层淀积室(300)分离的室内的介质基底的辉光放电工艺中流动处理气体形成粘附/中间层区。处理气体(212,320)可以为氮气、氢气、含有碳原子的气体、或其它一些合适的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 粘附 结构 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体晶片中的镶嵌结构中形成钽阻挡层的方法，其中镶嵌结构穿过介质层到达导电层，其特征在于以下步骤：在将钽施加到镶嵌结构之前，用含有选自氮、碳和氢的一种元素的等离子体气体处理镶嵌结构；以及在镶嵌结构中淀积钽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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