[发明专利]近场记录和重放光头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 01101702.3 申请日: 2001-01-20
公开(公告)号: CN1319843A 公开(公告)日: 2001-10-31
发明(设计)人: 郑永民;李定观 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11B11/10 分类号: G11B11/10;G11B7/135;G11B21/21;G02B3/00
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种近场记录和重放的光头及其制造方法,其中,竖直空腔表面发射激光器(VCSEL)和一个光检测器形成在滑块上,透镜层、光程控制层和/或线圈件通过薄膜工艺直接沉积在VCSEL和光检测器上。由于把信息记录和重放光学系统与滑块组装在一起,而使光头变小,这与采用彼此分开的滑块和大的光学系统的光头不同。结果改进了光头的动态特性,借此减少了寻找目标记录道所需的时间。因此,该光头适合于微记录和重放信息系统。
搜索关键词: 近场 记录 重放 光头 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有由空气动压力悬浮在记录介质上方的滑块的近场记录和重放的光头,其特征在于,包括:一个形成在滑块朝向记录介质一侧的光器件组件,该光器件组件包括一个用于半导体材料层重叠方向发光的竖直空腔表面发射激光器(VCSEL),和一个光检测器,该检测器接收由VCSEL发射后被记录介质反射的入射光;一个利用透明材料沉积在光器件组件上的第一透镜层,该第一透镜层有一个把入射光会聚在与VCSEL发光部分相对应的一部分上的第一透镜;和在中心有一个全息图并用于控制入射光行程的光程控制层,以使从VCSEL入射的光透过第一透镜层射向记录介质,并使入射光在被记录介质反射后射向光检测器;其中VCSEL是一个半导体材料层的叠层,该叠层包括:由具有不同折射率的半导体材料交替重叠形成的一个掺杂的第一分配布拉格反射器(DBR),一个形成在第一DBR上的有源层,和一个有与第一DBR相反型掺杂的第二DBR,第二DBR由具有不同折射率的半导体材料交替重叠形成,VCSEL通过在第二DBR上的窗口发射光。
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