[发明专利]清洗方法和腐蚀方法无效
| 申请号： | 00820081.5 | 申请日： | 2000-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN1461493A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金山登纪子;河野广明 | 申请（专利权）人： | 住友精密工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供通过清洗除去难以除去的油脂成分和微细的硅片的清洗方法和腐蚀方法，用于半导体晶片、半导体器件的制造中使用的各种装置和载体等。被除去物与在真空气氛中升华而生成的XeF2气接触，从而分解气化油脂成分并通过腐蚀除去硅片。如果在清洗前在真空气氛中残留微量的残留水分，H2O与XeF2反应生成HF。因此，例如，可以除去硅片上形成的自然氧化膜SiO2，并且XeF2可以直接作用于硅，从而可以进行腐蚀。清洗和腐蚀速度极其快速。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种清洗方法，包括在含有微量水分的真空气氛中使XeF2气接触并作用于被清洗物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
