[发明专利]用于高电流密度用途的多层碳基场发射电子装置

摘要

一种电子场发射装置，是通过将基材放入反应器中，加热所述基材并向所述反应器中供入氢和一种浓度约为8－13％含碳气体的混合物，同时向所述基材附近的气体混合物施加能量，持续足够的时间，以生长第一层碳基材料至厚度大于约0.5微米，接着降低所述含碳气体的浓度并继续生长第二层碳基材料，所述第二层较第一层更厚。接着从所述第一层除去基材，并将一个电极涂敷到所述第二层之上。所述装置是独立支撑的，它可作为一种冷阴极用于多种电子装置之中，如阴极射线管、放大器和行波管。基材的表面在所述第一层生长之前可进行图案加工，从而在所述场发射装置上形成一种具有图案的表面。

主权项

1.一种电子场发射装置，包括：具有两层的碳基主体，第一层的厚度大于约0.5微米，第二层的厚度大于第一层的厚度，所述两层是采用下述方法形成的：将基材放入到处于选定压力下的反应器中，并使所述基材处于选定范围的温度下，供给含有第一浓度的含碳气体和氢气的气体混合物到所述反应器中，同时向所述基材附近的气体混合物供应能量，并持续足以生长第一层的时间，然后降低所述含碳气体浓度至第二较低浓度并生长第二层，随后从所述第一层除去所述基材；和位于所述第二层上的电接点。