[发明专利]在聚合物基底上沉积IO或ITO薄膜的方法无效
| 申请号： | 00818987.0 | 申请日： | 2000-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1434879A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | 高锡勤;白永焕;赵俊植;韩荣健 | 申请（专利权）人： | 韩国科学技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠,刘金辉 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在聚合物基底上沉积氧化铟或铟锡氧化物薄膜的方法。在该方法中，氧或氩离子束在真空状态下通过恒定加速能照射在聚合物基底上以使聚合物基底的表面改性，该聚合物基底表面通过在真空状态下通过氧离子束、氩离子束或其混合离子束辐射沉积IO薄膜或ITO薄膜。此外，离子束是用氩、氧或其混合气由冷阴极离子源产生的并溅射在由In2O3或In2O3和SnO2组成的靶标物上，由此，IO或ITO薄膜就可沉积在表面改性的聚合物基底上。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 基底 沉积 io ito 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在聚合物基底上沉积IO或ITO薄膜的方法，其中氧或氩离子束以一给定加速能施加在聚合物基底上，以使聚合物基底的表面改性，而该聚合物基底的表面在真空下通过施加氧、氩或氧-氩混合离子束沉积IO或ITO薄膜。
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