[发明专利]清洗和调理等离子体反应腔体的方法

摘要

一种清洗和调理等离子体反应腔体内表面的方法，在该腔体中加工例如硅晶片的基片。该方法包括例如通过湿洗或就地等离子体清洗的清洗腔体，将调理气体通入到腔体中，将调理气体激发成等离子体，在内表面上沉积一层聚合物层和加工基片。进行调理步骤可在腔体内没有例如晶片的基片，而且在加工晶片产品之前不用使调理晶片通过腔体而进行加工步骤。在用于蚀刻铝的等离子体反应腔体的情况下，调理气体能够包括含氟气体，含碳气体和含氯气体。

主权项

1.一种清洗和调理其中加工基片的等离子体反应腔体的方法，包括以下步聚；清洗等离子腔体以去除在腔体内表面上积累的沉积物；将包含含氟气体和含碳气体的调理气体通入到腔体中；将调理气体激发成等离子体；利用等离子体在腔体的内表面沉积一聚合物层；和在沉积步骤后在腔体中加工基片。