[发明专利]制作集成光路的方法无效
| 申请号： | 00817250.1 | 申请日： | 2000-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN1411562A | 公开（公告）日： | 2003-04-16 |
| 发明（设计）人： | J·－C·J·科特维尔特;F·迪阿斯－科斯塔;D·内代利科维奇;C·F·伦瓦兹 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/12 | 分类号： | G02B6/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了制造集成光路，在基片(7)的表面制成第一掩膜(8a)，第一掩膜确定了至少一个光学器件的形状，比如在基片第一区域中制成的波导。第二掩膜(11a)在所述的基片表面上制成。第二掩膜对应于光学结构，比如，要在基片的第二区域中制成的周期阵列结构，这完全不同于第一区域。第一和第二掩膜由各自能完全抗蚀预先选定的蚀刻气体的材料组成。随后，支撑着第一和第二掩膜的基片采用预先决定的蚀刻气体对其进行干刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 集成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备集成光路的方法，其特征在于，包括以下步骤：在基片(7；14)的表面上制成第一掩膜(8a；15a)，所述的第一掩膜确定了对应于在基片第一区域(7d；14d)中制成的至少一个光学器件(12；18)的图形；在所述基片的所述表面上制成第二掩膜(11a；16a)，所述的第二掩膜确定了对应于在基片第二区域(7f；14f)中制成的光学结构的图形，第二区域不同于第一区域；蚀刻在上面有第一和第二掩膜的基片，以在所述的基片中制成所述的至少一个光学器件和光学结构。
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